文献

J-GLOBAL ID：202002278113933565   整理番号：20A0398765

神経形態システム製造のためのナノ結晶TiO_2薄膜における抵抗スイッチング効果の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of resistive switching effect in nanocrystalline TiO₂ thin film for neuromorphic system manufacturing

著者 (6件)： Dukhan D D (Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia) ,  Tominov R V (Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia) ,  Avilov V I (Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia) ,  Zamburg E G (Department of Electrical & Computer Engineering, National University of Singapore, 117582, Singapore) ,  Smirnov V A (Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia) ,  Ageev O A (Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog, 347928, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1400  号： 5  ページ： 055032 (4pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO_2薄膜における抵抗スイッチングの効果を研究した。高抵抗状態(HRS)から低抵抗状態(LRS)への抵抗スイッチングが3.2±0.2Vで生じ,LRSから-2.8±0.5VでHRSからHRSへと変化することを示した。耐久試験は,HRSが42.31±5.26kΩから26.45±6.14kΩに減少し,LRSが2.25±1.15kΩから3.45±1.18kΩに増加したことを示した。時間/LRS係数は18.8から7.6に減少した。TiO_2表面電荷の時間安定性を研究した。90分の間,電圧が320±21から22±5mVに減少し,90分の間,正方形側が3.43±0.12から4.12±0.14μmに増加したことを示した。結果は,ナノ結晶TiO_2膜に基づく神経形態システム製造に有用である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面電荷 ,  *ナノ結晶 ,  電圧 ,  耐久試験 ,  *薄膜
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 神経 ,  形態 ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  スイッチング効果 ,  研究