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J-GLOBAL ID：202002278600453125   整理番号：20A0911698

最新の3nm CMOS技術ライブラリにおけるセルアウェア試験の応用【JST・京大機械翻訳】

Application of Cell-Aware Test on an Advanced 3nm CMOS Technology Library

著者 (9件)： Gao Zhan (TU Eindhoven,Den Dolech 2, Eindhoven,AZ,the Netherlands,5612) ,  Malagi Santosh (Cadence Design Systems,1701 North Street, Endicott,NY,United States of America,13760) ,  Hu Min-Chun (National Tsing-Hua Univ.,101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu,Taiwan,30013) ,  Swenton Joe (Cadence Design Systems,1701 North Street, Endicott,NY,United States of America,13760) ,  Baert Rogier (IMEC,Kapeldreef 75, Leuven,Belgium,3001) ,  Huisken Jos (TU Eindhoven,Den Dolech 2, Eindhoven,AZ,the Netherlands,5612) ,  Chehab Bilal (IMEC,Kapeldreef 75, Leuven,Belgium,3001) ,  Goossen Kees (TU Eindhoven,Den Dolech 2, Eindhoven,AZ,the Netherlands,5612) ,  Marinissen Erik Jan (TU Eindhoven,Den Dolech 2, Eindhoven,AZ,the Netherlands,5612)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ITC  ページ： 1-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端技術ノードは多数の革新を採用している。さらに,それらは,標準セルライブラリの設計において,‘リングブースタを必要とし,面積,性能,および出力においてスケーリング利益を提供することができる。その結果,10nm以下の標準細胞は,それらの前駆よりも有意に複雑である。Cell認識試験(CAT)は,ライブラリー細胞の広範な特性化を通して同定された細胞内部抵抗性開放及び短欠陥を明示的に標的化する。本論文は,サブ10nm技術ノードにおけるCATライブラリー特性化の応用に関する最初の報告である。著者らは,IMECの3nm CMOS技術In5において,実験的な114セルライブラリ上でCadenceのCATツールフローを使用した。細胞複雑性の増加にもかかわらず,CATフローはまだ研究されており,45nm技術における機能的に匹敵するライブラリー細胞と比較して,潜在的非等価欠陥位置,細胞レベル試験パターン,および欠陥被覆の数は劇的に変化しなかった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆 ,  テストパターン ,  キャラクタリゼーション ,  ターゲティング ,  *CMOS
準シソーラス用語： 内部抵抗 ,  セルライブラリ ,  複雑性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS技術 ,  ライブラリ ,  試験 ,  応用