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J-GLOBAL ID:202002278690389527   整理番号:20A2698538

その場熱間静水圧プレス法によって作製したMgB_2/TiB_2複合バルクの積層における5.6Tの記録-高捕捉磁場【JST・京大機械翻訳】

A record-high trapped field of 5.6 T in the stacking of MgB2/TiB2 composite bulks prepared by an in-situ hot isostatic pressing method
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資料名:
巻: 33  号: 12  ページ: 125004 (7pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0607A  ISSN: 0953-2048  CODEN: SUSTEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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磁場冷却磁化によって磁化された複合超伝導体バルクの三重および二重積層のトラップされた場特性を研究した。三重積層バルクは11.3Kで5.58Tの磁場を捕獲し,これは0.18Tであったが,バルク磁石間で5.4Tの世界記録トラップ磁場よりも明らかに高かった。また,2.2および4.2KでのFCM実験はフラックスジャンプによって妨害されたが,4.2K以下の低温で7-Tクラス磁場を捕獲する本バルクの電位能力を見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の超伝導体の物性  ,  酸化物系超伝導体の物性 
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