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J-GLOBAL ID：202002278751011817   整理番号：20A2501871

長波長領域におけるInGaNナノワイヤからの光応答改善における欠陥飽和の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of defect saturation in improving optical response from InGaN nanowires in higher wavelength regime

著者 (10件)： Nag Dhiman (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Sarkar Ritam (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Bhunia Swagata (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Aggarwal Tarni (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Ghosh Kankat (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jammu, Jammu 181221, India) ,  Sinha Shreekant (Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Ganguly Swaroop (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Saha Dipankar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Horng Ray-Hua (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Laha Apurba (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 49  ページ： 495705 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶品質を損なうことなく高いインジウム組成を持つInGaNの成長は,効率的な光学デバイスを得るための大きな挑戦である。本研究では,プラズマ支援分子線エピタキシー(PA-MBE)成長InGaNナノワイヤの光学応答に及ぼす非放射欠陥の影響を,より高い波長領域(nm)で発光した。本解析は,光ルミネセンス(PL)分光法で明らかにされた光出力に対する欠陥飽和の影響に焦点を当てた。欠陥飽和は,そのような高波長でのInGaNベースシステムにおいてこれまで完全には調べられておらず,欠陥が効率的な光学性能の抑制において重要な役割を担っている。光生成キャリアによる欠陥状態の飽和により,キャリア局在化の利点を用いて光出力を増強できた。キャリア局在化は,インジウム相偏析のために生じ,これは,広いPLスペクトルと透過型電子顕微鏡(TEM)からの分析から確認された。理論モデルを提案し,PL測定中に発生する異なる現象の定常状態における結合微分速度方程式を用いて解いた。モデルの解析は,PL応答に及ぼす非放射欠陥の影響を理解し,増強された放射再結合の起源を同定することを助ける。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  プラズマ ,  電子顕微鏡観察 ,  光ルミネセンス ,  インジウム ,  相分離 ,  微分 ,  レート方程式 ,  光学素子 ,  MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： *InGaN ,  光出力 ,  放射再結合 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 波長領域 ,  InGaN ,  ナノワイヤ ,  光応答 ,  欠陥 ,  飽和 ,  役割