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J-GLOBAL ID：202002279003446932   整理番号：20A1336298

FTO上にスパッタリングしたNiによるベンジルアミンの電気化学的酸化

著者 (4件)： 姉帶一樹 (北大 大学院) ,  永井かなえ (北大 大学院) ,  加藤優 (北大 大学院) ,  八木一三 (北大 大学院)
資料名： 日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集
巻： 2019  ページ： 18  発行年： 2020年03月04日 
JST資料番号： F1026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.諸言.環境に優しい次世代のエネルギーとされる水素のクリーンな製造法として水の電気分解が有望視されているが、アノードで生じる酸化反応(OER)の過電圧が大きく、効率的な反応のためにはさらなる触媒開発が求められる。これに対して、より低いエネ...【本文一部表示】

シソーラス用語： ガラス ,  *酸化 ,  電位 ,  電流 ,  *ニッケル ,  触媒 ,  過電圧 ,  触媒活性 ,  水溶液 ,  ニトリル ,  電流密度 ,  第一アミン ,  アノード ,  芳香族化合物
準シソーラス用語： 定電位電解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： ベンジルアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： FTO ,  スパッタリング ,  Ni ,  ベンジルアミン ,  化学的酸化