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J-GLOBAL ID：202002279259767906   整理番号：20A2031577

多層MoS_2およびMoSe_2電界効果トランジスタにおける1/f雑音の実験およびモデリング研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental and modeling study of 1/f noise in multilayer MoS₂ and MoSe₂ field-effect transistors

著者 (5件)： Kwon Jiseok (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Delker Collin J. (Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Thomas Harris C. (Center for Integrated Nanotechnologies, Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Das Suprem R. (Department of Industrial and Manufacturing Systems Engineering, Kansas State University, Manhattan, Kansas 66506, USA) ,  Janes David B. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 9  ページ： 094501-094501-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)遷移金属ジカルコゲン化物チャネルを有する電界効果トランジスタ(FET)において,原子層厚さに対する電界効果移動度の依存性を研究し,界面散乱と層間結合抵抗(R_int)の観点から解釈した。しかし,種々の接触金属と層数厚さに対するMoS_2とMoS_2FETのような1/f雑音のモデルは報告されていない。本研究では,移動度と雑音挙動の両方を理解するために,高と低仕事関数金属のソースとドレイン接触を有するMoS_2とMoSe_2FET上の電流-電圧と1/f雑音を実験的に調べた。層数依存HoogeパラメータとR_intを組み込んだ雑音モデルを開発した。雑音と移動度モデルは,層数によるこれらの量の変化を記述するため,電荷,移動度,およびHoogeパラメータのスクリーニング長さを利用する。各材料および各接触金属に対する適切なフィッティングパラメータを有する単一モデルトポロジーを用いて,このモデルはHoogeパラメータの実験的に観測された層厚依存性を捉えた。著者らの雑音解析は,完全に包括的であり,従って,任意の2D層状システムに適用できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *雑音 ,  仕事関数 ,  電圧 ,  電流 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *1/f雑音 ,  二次元 ,  層厚 ,  多層 ,  チャネル ,  雑音解析
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  雑音モデル ,  原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  電界効果トランジスタ ,  雑音 ,  実験 ,  モデリング ,  研究