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J-GLOBAL ID：202002279450006875   整理番号：20A1745877

電気化学的にエッチングされたFeSe/LaAlO₃膜の超伝導転移温度の向上

Enhancement of superconducting transition temperature in electrochemically etched FeSe/LaAlO₃ films

著者 (6件)： Shikama Naoki (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Sakishita Yuki (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Nabeshima Fuyuki (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Katayama Yumiko (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Ueno Kazunori (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan) ,  Maeda Atsutaka (Department of Basic Science, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8902, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 8  ページ： 083006 (4pp)  発行年： 2020年08月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気二重層トランジスタ構造を持つFeSe膜を電気化学的にエッチングした場合のT_cのゲート電圧依存性を調べた。その結果,ゲート電圧が低い(V_g=2.5Vと3.3V)FeSe膜のT_c^zero値は46Kに達し,Geらのデータを除いて,ほぼ全ての抵抗率測定結果の中で最も高い値を示した。この増強されたT_cは,放電プロセス後でも変化しなかった。この結果は,T_cの増加の原因が静電ドーピングではなく,エッチングされた膜の表面での電気化学反応であることを示唆している。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気化学反応 ,  *エッチング ,  *セレン化物 ,  *鉄化合物 ,  *ランタン化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *金属酸化物 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *転移温度 ,  トランジスタ ,  電圧 ,  電気抵抗率 ,  *セレン化鉄 ,  酸化物薄膜 ,  *超伝導転移温度
準シソーラス用語： 電気二重層トランジスタ構造 ,  ゲート電圧

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  エッチング ,  LaAlO3 ,  超伝導転移温度