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J-GLOBAL ID：202002279562608450   整理番号：20A0420442

原子置換により合成したSiC/Si基板上に成長させたAlN膜の強度と構造特性【JST・京大機械翻訳】

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

著者 (3件)： Grashchenko A.S. (Institute for Problems in Mechanical Engineering RAS, Saint Petersburg, 199178, Russia) ,  Kukushkin S.A. (ITMO University, Saint Petersburg, 197101, Russia) ,  Osipov A.V. (Institute for Problems in Mechanical Engineering RAS, Saint Petersburg, 199178, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1410  号： 1  ページ： 012244 (4pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlN/SiC/Siヘテロ構造の層の強度と構造特性を研究した。AlN膜とSiC/Si基板の表面形態を原子間力顕微鏡を用いて研究した。AlNとSiC層の厚さをエリプソメトリのデータを分析することによって決定した。膜と基板の硬度をナノスクラッチ試験法により測定した。研究中の膜は高い結晶品質を有することを実験的に示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 偏光解析法 ,  *炭化ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  硬度 ,  *窒化アルミニウム ,  構造特性
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  ナノスクラッチ試験 ,  表面形態 ,  ヘテロ構造 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  置換 ,  SiC ,  Si基板 ,  成長 ,  AlN ,  構造特性