文献

J-GLOBAL ID：202002280218754557   整理番号：20A2698439

低過剰電圧ハイブリッドトンネル接合を用いたIII-窒化物青色発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

III-nitride blue light-emitting diodes utilizing hybrid tunnel junction with low excess voltage

著者 (6件)： Wang Jianfeng (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America) ,  Young Erin C (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America) ,  Ho Wan Ying (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America) ,  Bonef Bastien (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America) ,  Margalith Tal (Solid State Electronics and Energy Electronics Center (SSLEEC), University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America) ,  Speck James S (Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, California, CA 93106, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 12  ページ： 125026 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル接合(TJs)は,窒化物ベースの発光ダイオード(LED)およびレーザダイオード(LD)に対する性能の改善に代替的設計および有望性を提供し,学術研究において広く用いられている。しかし,標準接触技術と比較して,LEDとLDの電圧ペナルティは,特に商業用途にとって大きな関心事であった。本研究では,低い過剰電圧を達成する方法を検討した。アンモニア分子ビームエピタクシー(NH_3 MBE)を用いて,GaN TJを市販の有機金属化学蒸着(MOCVD)成長青色LEDウエハ上に成長させた。アトムプローブトモグラフィー(APT)と二次イオン質量分析(SIMS)は,再成長界面の1分緩衝HF(BHF)洗浄が,n++再成長TJ層へのMgと不純物の取込みを低減することを示した。ウエハを加工し,大学プロセスと工業プロセスの両方を用いて参照ウエハに平行に測定した。20A cm-2では,大学クリーンルームで加工した接合界面でのSi δドーピングで成長させたTJ LEDは,標準インジウムスズ酸化物(ITO)接触で処理したLEDの2.86Vと比較して,3.17Vの順方向電圧を有していた。ITOまたは電流ブロッキング層のない工業プロセスで処理した非カプセル化TJ LEDは,参照LEDと比較して約0.3V過剰電圧を有していた。TJ LEDも,より均一な光放出プロファイルを有した。両設定で得られた低い過剰電圧と一貫した結果は,TJが工業プロセスのためにスケール化できることを示唆した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  界面 ,  *電圧 ,  電流 ,  *発光 ,  半導体レーザ ,  不純物 ,  マグネシウム ,  アンモニア ,  *トンネル接合 ,  窒化ガリウム ,  MOCVD ,  ペナルティ ,  δドーピング
準シソーラス用語： 再成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル接合 ,  窒化物 ,  青色発光ダイオード