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J-GLOBAL ID：202002280331762682   整理番号：20A0522415

室温テラヘルツ光検出のためのMOS_2の欠陥工学【JST・京大機械翻訳】

Defect Engineering of MoS₂ for Room-Temperature Terahertz Photodetection

著者 (9件)： Xie Ying (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Liang Fei (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Chi Shumeng (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Wang Dong (School of Physics, Shandong University, China) ,  Zhong Kai (Key Laboratory of Opto-electronics Information Technology (Ministry of Education), Tianjin University, China) ,  Yu Haohai (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Zhang Huaijin (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Chen Yanxue (School of Physics, Shandong University, China) ,  Wang Jiyang (State Key Laboratory of Crystal Materials and Institute of Crystal Materials, Shandong University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 6  ページ： 7351-7357  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料はエキゾチックな固有の電子バンド構造を有し,新しいナノデバイスのための革新的基礎と考えられている。2D材料のバンドエンジニアリングは,バンドギャップ以下の光子エネルギーによる光の室温(RT)光検出のような現代の技術における多くの課題を克服する新しい道を開く可能性がある。ここでは,合理的なバンドギャップエンジニアリングのためにMo4+とS2-空格子点を導入することにより,テラヘルツ(THz)領域におけるRT MoS2ベース光検出を報告した。THz電磁放射によって駆動される余分なキャリアの発生と輸送の両方は,MoS_2サンプルの抵抗率と同様に空格子点濃度によって制御された。キャリア濃度変動とキャリア散乱確率の間のバランスを利用して,2.52THzにおける10mA/Wの高いRT光応答性を,Mo空格子点に富むMoS_2.19サンプルにおいて実現した。本研究では,RT THz検出の過剰暗電流における課題を克服し,バンドギャップエンジニアリング2D材料に基づくさらなるオプトエレクトロニクスとフォトニックデバイスの便利な方法を提供した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア散乱 ,  モリブデン ,  *光検出 ,  電気抵抗率 ,  電磁波放射 ,  オプトエレクトロニクス ,  暗電流 ,  キャリア密度 ,  *テラヘルツ波 ,  バンドギャップ ,  二次元
準シソーラス用語： フォトニックデバイス ,  二硫化モリブデン ,  ナノデバイス ,  電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二次元材料 ,  二硫化モリブデン ,  テラヘルツ検出 ,  欠陥工学 ,  室温

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  テラヘルツ光検出 ,  欠陥 ,  工学