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J-GLOBAL ID：202002280489484926   整理番号：20A2017552

亜化学量論的Electronビームパターン形成硫化ビスマスの熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric Properties of Substoichiometric Electron Beam Patterned Bismuth Sulfide

著者 (13件)： Recatala-Gomez Jose (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Recatala-Gomez Jose (Department of Chemistry, University of Southampton, United Kingdom) ,  Ng Hong Kuan (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Ng Hong Kuan (Department of Physics, Faculty of Science, National University of Singapore, Republic of Singapore) ,  Kumar Pawan (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Suwardi Ady (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Zheng Minrui (Department of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, National University of Singapore, Republic of Singapore) ,  Asbahi Mohamed (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Tripathy Sudhiranjan (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Nandhakumar Iris (Department of Chemistry, University of Southampton, United Kingdom) ,  Saifullah Mohammad S. M. (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Hippalgaonkar Kedar (Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Republic of Singapore) ,  Hippalgaonkar Kedar (School of Material Science and Engineering, Nanyang Technological University, Republic of Singapore)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 30  ページ： 33647-33655  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電金属カルコゲン化物の直接パターニングは挑戦的であり,通常,ある形状とサイズに制約される。ここでは,単一源,スピンコーティング可能および電子ビーム感受性ビスマス-(III)エチルキサンテート前駆体を用いたサブ10nm幅硫化ビスマス(Bi_2S_3)の合成,キャラクタリゼーションおよび直接書き込みを報告する。元のBi_2S_3の本質的に低いキャリア濃度を増加させるために,電子豊富な熱電材料を生成するために,真空アニーリング中の温度を調整することにより硫黄空孔が操作される自己ドーピング法を開発した。6Sm-1の室温電気伝導率と,直接パターン化したサブ化学量論Bi_2S_3薄膜に対するSeebeck係数-21.41μVK-1を報告した。構造と形態のさらなる最適化による直接書き込み可能な熱電膜の著者らの実証がオンチップ応用に有用であることを期待する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  焼なまし ,  電子ビーム ,  電気伝導率 ,  薄膜 ,  *化学量論 ,  カルコゲン化物 ,  硫黄 ,  キャリア密度 ,  前駆体 ,  *パターン形成 ,  スピンコーティング ,  熱電材料
準シソーラス用語： オンチップ ,  *硫化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 熱電 ,  電子ビームリソグラフィー ,  テルルフリー ,  薄膜 ,  硫黄空孔 ,  キサントゲン酸塩 ,  硫化ビスマス

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 亜化学量論 ,  ビームパターン ,  硫化ビスマス ,  熱電特性