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J-GLOBAL ID：202002280701520134   整理番号：20A1629892

sp=2-炭素の比の増加による4H-SiC Ohm接触の比接触抵抗を改善する方法【JST・京大機械翻訳】

A method to improve the specific contact resistance of 4H-SiC Ohmic contact through increasing the ratio of sp²-carbon

著者 (6件)： Liu Shaoyu (The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Cheng Xinhong (The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Pan Ruiyan (Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180-3590, USA) ,  Liu Xiaobo (The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Zheng Li (The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Yu Yuehui (The State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 2  ページ： 023503-023503-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的に,高温焼鈍処理(>950°C)はNi/SiCオーミック接触を形成するのに必要である。いくつかの研究は,Ni/SiC界面でのsp2炭素の増加により,比接触抵抗が改善できると信じている。本研究では,マグネトロンスパッタリング蒸着炭素層をNi/SiCに挿入し,850°Cでアニールし,sp2炭素の効果を検証した。その結果,sp2-炭素比は31%から66%に増加し,比接触抵抗は炭素の挿入により2.5×10-4Ωcm2から5.0×10-5Ωcm2に改善した。さらに,中間半導体層(ISL)モデルを用いて,オーム接触に及ぼすsp2-炭素の影響メカニズムを解析した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *炭素 ,  ニッケル ,  マグネトロン ,  *炭化ケイ素 ,  *Ohm接触 ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素 ,  比 ,  4H-SiC ,  Ohm接触 ,  比接触抵抗