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J-GLOBAL ID：202002280820124990   整理番号：20A2448824

BN-グラフェン横方向トンネル層を用いた金属/MoS_2界面の輸送特性の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of the transport properties of metal/MoS₂ interfaces using BN-graphene lateral tunneling layers

著者 (8件)： Guo Rui (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Su Jie (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Zhang Pengliang (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  He Fuchao (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Lin Zhenhua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Chang Jingjing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, School of Microelectronics, Xidian University, 2 South Taibai Road, Xi’an 710071, People’s Republic of ...)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 48  ページ： 485204 (8pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-半導体界面のn-およびp-型界面電荷輸送特性の調節は,高性能二次元材料ナノデバイスの実現に不可欠であり,依然として大きな課題である。ここでは,ホウ素ニトリド(BN)-グラフェン横方向ヘテロ構造(LH)を,金属-MoS_2界面のSchottky障壁,Fermi準位ピン止めおよび電荷注入効率を制御するための界面トンネル層として使用した。グラフェン-N接合構造を有するBN-グラフェンLHはn型垂直Schottky障壁を減少させ,界面トンネル確率を高めたが,グラフェン-B接合構造はp型垂直Schottky障壁を減少させた。その結果,Pt/LH-MoS_2界面に対して,オーム特性と高いトンネル確率(約0.242)を有するn型Au/LH-MoS_2界面と,約0.20eVのp型垂直Schottky障壁を達成した。他の報告されたBNまたはグラフェントンネル層と比較して,このようなBN-グラフェンLHトンネリング層は金属電極からMoS_2層への電荷散乱とFermi準位ピン止め効果を抑制するだけでなく,金属電極とトンネル層間の接触抵抗も低減した。基礎となる機構は電荷移動,軌道および界面双極子に起因することを明らかにした。本研究は,金属-MoS_2界面の現在の理解を改善し,将来のナノエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス応用に対する現在の厳しい接触問題を克服するための新しい方法を提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  *界面 ,  接触抵抗 ,  電荷 ,  電荷移動 ,  トンネル効果 ,  窒化物 ,  Fermi準位 ,  オプトエレクトロニクス ,  ピン止め ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  ナノデバイス ,  金属電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： BN ,  グラフェン ,  横方向 ,  トンネル ,  界面 ,  輸送特性 ,  変調