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J-GLOBAL ID：202002281473613510   整理番号：20A0000453

非晶質Cd-In-Ga-O薄膜の組成制御によるイオン化ポテンシャルと電子親和力の個別調整

Individual tuning of ionization potential and electron affinity by composition control of amorphous Cd-In-Ga-O thin film

著者 (2件)： KIM Minseok (University of Yamanashi) ,  YANAGI Hiroshi (University of Yamanashi)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 127  号： 11  ページ： 785-787(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン化ポテンシャル(I_p)と電子親和力で調整可能な非晶質酸化物半導体として,n型非晶質Cd-In-Ga-O薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリング法によりSiO₂ガラス基板上に作製した。紫外光電子分光法と紫外可視近赤外分光法を用いて,薄膜のI_pと電子親和力を決定した。Ga濃度を約20から約50%まで変化させることにより,I_pを6.5から7.1eVに調整した。さらに,Cd濃度の変化により電子親和性を3.8から4.3eVへシフトした。キャリア濃度と移動度は,Cd濃度が50%を超えるとCd濃度に強く依存した。キャリア濃度(移動度)は,Cd濃度の増加に伴って減少(増加)した。対照的に,Ga濃度の影響は,Cd濃度が50%未満の場合に大きくなった。キャリア濃度は10¹⁷~10²⁰cm^-3の範囲で変化した。移動度の最大値は16cm²V^-1s^-1であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *薄膜 ,  *化合物半導体 ,  カドミウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  N型半導体 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力 ,  マグネトロンスパッタリング ,  HF【周波数】 ,  光電子分光法 ,  赤外分光法 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  アラインメント ,  バンド構造 ,  バンドアライメント ,  *酸化物半導体
準シソーラス用語： CIGO半導体 ,  高周波

著者キーワード (4件)： 非晶質酸化物半導体 ,  バンドアラインメント ,  イオン化ポテンシャル ,  Electron親和性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• 1) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature, 432, 488-492 (2004).
• 2) H. Hosono, J. Non-Cryst. Solids, 352, 851-858 (2006).
• 3) K. Morigaki, “Physics of Amorphous Semiconductors”, Imperial College Press, London, UK (1999) pp. 84-89.
• 4) T. Kamiya and H. Hosono, NPG Asia Mater., 2, 15-22 (2010).
• 5) M. Turcu, I. M. Kötschau and U. Rau, Appl. Phys. Lett., 91, 1391-1399 (2002).

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  Ga ,  薄膜 ,  組成制御 ,  イオン化ポテンシャル ,  電子親和力