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J-GLOBAL ID:202002281633280059   整理番号:20A1751439

TSVベース高帯域幅メモリ(HBM)構造におけるマイクロバンプ継手のCu突出と性能に及ぼす電気-熱-機械的多物理場の影響の三次元シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Three-dimensional Simulation of Effects of Electro-Thermo-Mechanical Multi-physical Fields on Cu Protrusion and Performance of Micro-bump Joints in TSVs Based High Bandwidth Memory (HBM) Structures
著者 (6件):
資料名:
巻: 2020  号: ECTC  ページ: 1659-1664  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電気負荷を考慮して,各階層レベルで36分布マトリックスを有するシリコンビア(TSV)を含む単純化4hiスタックHBM構造モデルを構築した。HBMモデルにおけるTSVおよびマイクロバンプ継手の機械的挙動と同様に,温度,電流密度および電圧の分布を,有限要素シミュレーションによって特徴づけた。TSVとマイクロバンプ継手の性能に影響する種々の結合物理場の役割を明らかにするために,電気-熱-機械場,電気-機械場,および熱機械的場の条件下で,包括的シミュレーションを行った。シミュレーション結果は,電気-熱-機械場の下で,Joule加熱だけでなく,Cuパッドとマイクロバンプ継手の間の隅角部,ならびにTSVの両端において,電流クラウディング効果が現れることを示した。特に,電気機械場の下の最大電流密度は,電気-熱-機械場の下のものより大きかった。さらに,TSVのより低い端部におけるCu突出高さは,上端におけるそれより大きかった。粘塑性変形挙動を有するマイクロバンプ継手では,歪濃度はZY面(X=0)に沿って対称分布を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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