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J-GLOBAL ID：202002281760778844   整理番号：20A2443234

高スケール,高耐久性,ΣΔゲート,ナノワイヤ強誘電体FETメモリトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Highly Scaled, High Endurance, Ω-Gate, Nanowire Ferroelectric FET Memory Transistors
著者 (7件)：
Bae Jong-Ho

Bae Jong-Ho について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Kwon Daewoong

Kwon Daewoong について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Jeon Namho

Jeon Namho について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Cheema Suraj

Cheema Suraj について

(Department of Material Science, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Material Science, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Tan Ava Jiang

Tan Ava Jiang について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Hu Chenming

Hu Chenming について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について

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Salahuddin Sayeef

Salahuddin Sayeef について

(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)

Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 41  号： 11  ページ： 1637-1640  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本研究では,ゲート絶縁体として強誘電体ZrドープHfO_2(HZO)を有する高スケール,非揮発性メモリトランジスタを実証した。ゲート長が約30nm,幅が約85nmのΩゲートトランジスタを~20nm厚さのSOI上に作製した。≦100nsプログラムでのロバストメモリ動作と±5Vでの消去速度,85°Cでの10年までの投影メモリ保持時間,および108耐久サイクル後の~0.5Vメモリウィンドウを実証した。erase速度に及ぼすV_Dの影響は,メモリ操作におけるホールの重要性への洞察を提供する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*記憶装置

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*強誘電体

強誘電体 について

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*トランジスタ

トランジスタ について

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ドーピング

ドーピング について

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保持時間

保持時間 について

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不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

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*ナノワイヤ

ナノワイヤ について

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ゲート絶縁膜

ゲート絶縁膜 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ゲート長

ゲート長 について

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*FeFET

FeFET について

, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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スケール

スケール について

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高耐久性

高耐久性 について

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ゲート

ゲート について

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ナノワイヤ

ナノワイヤ について

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強誘電体FET

強誘電体FET について

, 
トランジスタ

トランジスタ について


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