Bae Jong-Ho について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Kwon Daewoong について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Jeon Namho について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Cheema Suraj について
Department of Material Science, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Tan Ava Jiang について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Hu Chenming について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
Salahuddin Sayeef について
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA について
IEEE Electron Device Letters について
記憶装置 について
強誘電体 について
トランジスタ について
ドーピング について
保持時間 について
不揮発性メモリ について
ナノワイヤ について
ゲート絶縁膜 について
ゲート長 について
FeFET について
トランジスタ について
スケール について
高耐久性 について
ゲート について
ナノワイヤ について
強誘電体FET について
トランジスタ について