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J-GLOBAL ID：202002281835746236   整理番号：20A0057486

酸素ラジカル支援パルスレーザ蒸着による(藻類)_2O_3膜の低温成長【JST・京大機械翻訳】

Low temperature growth of (AlGa)₂O₃ films by oxygen radical assisted pulsed laser deposition

著者 (6件)： Zhang Fabi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Synchrotron Light Application Center, Saga University, Saga 840-8502, Japan. [e-mail]) ,  Hu Congyu ,  Arita Makoto ,  Saito Katsuhiko ,  Tanaka Tooru ,  Guo Qixin
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 1  ページ： 142-146  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素ラジカル支援パルスレーザ蒸着により,β-(AlGa)_2O_3膜の低温成長を実現した。作製した膜は200°Cの低い堆積温度でも(0001)サファイア基板に垂直な良好な(-201)配向を示した。膜の構造及び光学特性に及ぼす基板温度の影響を系統的に調べた。100~500°Cの基板温度で成長させた全ての膜は,紫外および可視域で90%以上の高い透過率を示した。100°Cより高い基板温度で堆積した膜に対して急激なバンドギャップ値の変化が観測された。これはX線回折によって明らかにされた非晶質から結晶への転移温度と一致する。酸素ラジカル支援で成長させた(AlGa)_2O_3膜の膜厚の速度は基板温度と共に減少し,酸素ラジカル種の助けを借りて揮発性種の蒸発の抑制を示した。β-(AlGa)_2O_3膜の低温成長は,半導体微細加工プロセスの確立されたリソグラフィーと互換性がある。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リソグラフィー ,  X線回折 ,  揮発性 ,  基板温度 ,  互換性 ,  非晶質 ,  透過率 ,  半導体 ,  光学的性質 ,  転移温度 ,  微細加工 ,  バンドギャップ ,  *パルスレーザ蒸着 ,  膜厚
準シソーラス用語： *酸素ラジカル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素ラジカル ,  支援 ,  パルスレーザ蒸着 ,  藻類 ,  低温成長