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J-GLOBAL ID：202002282341825012   整理番号：20A2553340

接合温度推定のためのSiC MOSFET TSEP曲線の回路内シュートスルーベース特性評価【JST・京大機械翻訳】

In-circuit Shoot-through-based Characterization of SiC MOSFET TSEP Curves for Junction Temperature Estimation

著者 (3件)： Soldati Alessandro (University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy) ,  Menozzi Roberto (University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy) ,  Concari Carlo (University of Parma,Dept. of Engineering and Architecture,Parma,Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 2850-2857  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスデバイスの接合温度推定は,日毎にますます重要になっている。それは,従来のおよび広いバンドギャップデバイスのパワーハンドリング能力の予測保全および完全な開発を可能にする。オン状態電圧は,特にMOSFETに対して,良好な温度感度電気パラメータ(TSEP)であることが知られている。その使用における主な問題は,制御環境におけるデバイスベース(キャリブレーション)の電圧-温度-電流関係を特性化する必要性であり,最終用途のコストを増加させる。本論文では,新しい自動キャリブレーション手順を示した。筆者が導入した革新的制御シュートスルー技術を構築した。これにより,スイッチの自己加熱電力を精密に制御でき,負荷がない場合でさえ,制御方法でデバイスを通して電流流れを,ハーフブリッジ回路が使用される場合でさえ,正確に制御することができた。特定のアルゴリズムを提示して,ブリッジ出力に接続した負荷なしで,電圧-温度特性曲線を直接回路に構築した。この新規技術を,熱チャンバにおけるデバイス特性評価に依存する従来のものと比較した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルゴリズム ,  電圧 ,  電流 ,  電力 ,  *MOSFET ,  制御方式 ,  特性曲線 ,  パワーエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  温度感受性
準シソーラス用語： チャンバ ,  自己加熱 ,  *接合温度 ,  デバイス特性 ,  ハーフブリッジ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 接合温度 ,  推定 ,  SiC ,  MOSFET ,  曲線 ,  シュート ,  特性評価