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J-GLOBAL ID:202002282725262644   整理番号:20A1192357

超薄合金触媒により可能になったグラフェン膜の低温化学蒸着成長【JST・京大機械翻訳】

Low-temperature chemical vapor deposition growth of graphene films enabled by ultrathin alloy catalysts
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 032202-032202-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本報告では,極薄(~1nm)ニッケル-金(Ni-Au)触媒により可能な化学蒸着により低温でグラフェンを作製する方法を紹介した。高炭素(C)溶解度Ni,低C溶解度Au,および触媒の極薄層のユニークな組合せは,成長時間に依存しない層数で450°Cでグラフェンを製造する有効性を実証した。より厚い(>20nm)金属触媒で見出された粒界定義触媒形態と対照的に,超薄触媒形態は成長過程でナノスケール金属「島」の形成をもたらし,触媒を覆う湾曲グラフェンをもたらす。グラフェンの形成に対する極薄触媒の予備活性化の影響を試験するために,触媒の予備アニール過程とそれに続く炭素前駆体の導入についても調べた。プレアニール過程は,グラフェンの代わりにカーボンナノチューブ(CNTs)の形成をもたらし,生成した材料に関連して触媒表面処理の影響を示した。結果と議論は,極薄触媒上でのグラフェンまたはCNTsの製造を可能にする低温ナノスケール製造プロセスを詳細に示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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