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J-GLOBAL ID：202002282919044683   整理番号：20A2444864

SiGeベースマイクロボロメータ集積のための層移動プロセス開発【JST・京大機械翻訳】

Layer Transfer Process Development For SiGe Based Microbolometer Integration

著者 (9件)： Kaynak Canan Baristiran (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Goeritz Alexander (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Krueger Patrick (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Voss Thomas (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Yamamoto Yuji (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Heinrich Patrick (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Saarow Ulrike (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Wietstruck Matthias (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Kaynak Mehmet (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Technology Department,Frankfurt (Oder),Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ESTC  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,マイクロボロメータデバイスの集積のために,CMOSウエハの上にSiGe多重量子井戸(MQW)層スタックの転送を提示した。CMOSウエハの後処理のための熱収支の限界により,高温成長(>600C)SiGe層スタックの完全層移動を,200mmウエハレベルでBiCMOSウエハ上に転送した。酸化物-酸化物融合結合に基づく層移動の完全なプロセスフローと,最終研削前の粗さとエッジトリミングプロセスに関するウエハの表面条件のための臨界プロセス段階を詳述した。これらのプロセスステップの最適化の後,SiGe MQWのマイクロボロメータの実現により,BiCMOSウエハ上のSiGe MQW層の成功した完全層移動を実証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  最適化 ,  研削 ,  トリミング ,  酸化物 ,  熱収支 ,  臨界 ,  後処理 ,  *プロセス開発 ,  BiCMOS ,  多重量子井戸 ,  CMOS
準シソーラス用語： *マイクロボロメータ ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  マイクロボロメータ ,  集積 ,  層 ,  プロセス ,  開発