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J-GLOBAL ID：202002282998234025   整理番号：20A2617710

メモリスタティブ相補型抵抗スイッチによるセンシング:モデリングとシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Sensing with Memristive Complementary Resistive Switch: Modelling and Simulations

著者 (8件)： Gupta Vishal (University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy) ,  Pellegrini Danilo (University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy) ,  Khandelwal Saurabh (Oxford Brookes University,School of ECM,UK) ,  Jabir Abusaleh (Oxford Brookes University,School of ECM,UK) ,  Kvatinsky Shahar (Technion - Israel Institute of Technology,Haifa,Israel) ,  Martinelli Eugenio (University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy) ,  Di Natale Corrado (University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy) ,  Ottavi Marco (University of Rome “Tor Vergata”,Electronic Engineering,Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： DFT  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： センサは環境または他の物理現象に関する事実とプロセス情報を与える。メムリスタを用いたセンシングは,高密度集積と小型化の可能性のために最近導入されている。相補的抵抗スイッチ(CRS)ベースのセンサは,スネーク電流を低減する極めて効率的なクロスバーアレイを提供する。本文の目的は,メムリスティブ相補抵抗スイッチを用いたセンシングのための回路モデルを導入し,評価することである。メムリスタのセンシング挙動を捕捉するメムリスタモデルの信頼できるSPICE実装を導入した。また,シミュレーション結果により,CRSセンシングアーキテクチャに対するSPICEモデルを検証し,そのパラメータは実験データのマッチングに容易に適応できた。また,種々の濃度の酸化および還元ガスの存在下で,メムリスタおよびCRSセンサデバイスの感度およびデバイス挙動も調べた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  電流 ,  小型化 ,  センサ ,  回路モデル
準シソーラス用語： スネーク ,  高密度 ,  センサデバイス ,  *メモリスタ ,  SPICEモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： センシング ,  モデリング ,  シミュレーション