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J-GLOBAL ID：202002283043854143   整理番号：20A2261934

積層GeナノシートGAAFETの作製と歪効果測定【JST・京大機械翻訳】

Stacked Ge Nanosheet GAAFETs Fabrication and Strain Effects Measurement

著者 (7件)： Chu Chun-Lin (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Luo Guang-Li (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Wu Kehuey (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Chen Shih-Hong (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Chen Bo-Yuan (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Wu Wen-Fa (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,NARL,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI-TSA  ページ： 128-129  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,SiGeおよびGeSn積層ナノシートFETが報告されたが,水平積層GeナノシートGAAFETを実証した。積層した純Geナノ構造の形成の問題は,Ge材料が他のIV基材料より弱く,他のIV基材料を除く選択的エッチングによってGe材料を確保することである。本研究では,Ge/Si間の材料特性の大きな差が次の選択的エッチングプロセスに有益であるので,出発材料としてGe/GeSi多層よりも大きな不整合Ge/Si多層を意図的に成長させる。島の成長を避けるために,Ge/Si多層を低温で成長しなければならない。選択エッチングでは,適切な温度で,そして,メガソニック撹拌の支援により,Si層は,TMAH溶液により,良好な選択性で,Ge層上に容易にエッチングできることを見出した。さらに,懸濁Geシート中の転位は,Ge層がSi層と結合している場合よりも容易に除去できることを見出した。最後に,ゲート長80nmのデバイスを作製し,1650μA/μm以上の電流(チャネルフットプリントの幅当たり)を達成した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  懸濁液 ,  低温 ,  電流 ,  撹拌 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  不整合 ,  多層 ,  ナノ構造 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： ゲート長 ,  シリコンゲルマニウム ,  *歪効果 ,  選択エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  ナノシート ,  作製 ,  歪効果