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J-GLOBAL ID：202002283084444867   整理番号：20A0488017

架橋粒子線の異方性伝導率を利用したソース/ドレインドーピングのない高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors without Source/Drain Doping by Utilizing Anisotropic Conductivity of Bridged-Grain Lines

著者 (11件)： Zhang Meng (Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Lin Haotao (Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Deng Sunbin (State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China) ,  Chen Rongsheng (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, P. R. China) ,  Li Guijun (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Han Su-Ting (Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Zhou Ye (Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Yan Yan (Institute of Microscale Optoelectronics (IMO), Shenzhen University, Shenzhen, 518060, P. R. China) ,  Zhou Wei (Meridian Innovation Limited, Hong Kong Science Park, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China) ,  Wong Man (State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China) ,  Kwok Hoi-Sing (State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong SAR, 999077, P. R. China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 6  号： 2  ページ： e1900961  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブリッジ結晶粒(BG)線の異方性伝導率を利用することにより,ソース/ドレイン(S/D)ドーピングのない多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を設計し,シミュレーションし,作製した。新しい設計において,電流はS/D領域のBG線に沿って流れ,チャネル内のBG線に垂直に流れる。BG線の異方性伝導率を利用することにより,S/Dドーピング過程を除去し,製造プロセスコストを低減した。一方,BG線を採用する利点は維持される。S/Dドーピングなしの作製したTFTは通常のTFTと比較して優れた素子特性を示した。S/DドーピングのないTFTの信頼性もホットキャリア応力と負/正バイアス応力下で評価した。さらに,提案した新しいTFT構造は広範囲のドーパント活性化条件を可能にした。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *粒子ビーム ,  電流 ,  ドーパント ,  *薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  信頼性 ,  ホットキャリア ,  結晶粒 ,  生産工程 ,  チャネル ,  異方性 ,  *ドーピング ,  D層
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 異方性伝導率 ,  架橋粒子 ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 架橋 ,  粒子線 ,  異方性 ,  伝導率 ,  ソース ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ