文献

J-GLOBAL ID：202002283217688646   整理番号：20A1236163

その場二次元X線回折測定により決定した非晶質から多結晶SnドープIn₂O₃膜への内在秩序の進展

Evolution of implicate order from amorphous to polycrystalline Sn-doped In₂O₃ films determined by in situ two-dimensional X-ray diffraction measurements

著者 (9件)： Furubayashi Yutaka (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, Tosayamadacho-Miyanokuchi 185, Kami 782-8502, Japan) ,  Kobayashi Shintaro (Rigaku Cooperation, Matsubaracho 3-9-12, Akishima 196-8666, Japan) ,  Maehara Makoto (Industrial Equipment Division, Sumitomo Heavy Industries, Ltd., Soubiraki-cho 5-2, Niihama 792-8588, Japan) ,  Ishikawa Kazuhiko (Rigaku Cooperation, Matsubaracho 3-9-12, Akishima 196-8666, Japan) ,  Inaba Katsuhiko (Rigaku Cooperation, Matsubaracho 3-9-12, Akishima 196-8666, Japan) ,  Sakemi Toshiyuki (Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd., Natsushimacho 19, Yokosuka 237-8555, Japan) ,  Kitami Hisashi (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, Tosayamadacho-Miyanokuchi 185, Kami 782-8502, Japan) ,  Kitami Hisashi (Technology Research Center, Sumitomo Heavy Industries, Ltd., Natsushimacho 19, Yokosuka 237-8555, Japan) ,  Yamamoto Tetsuya (Materials Design Center, Research Institute, Kochi University of Technology, Tosayamadacho-Miyanokuchi 185, Kami 782-8502, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 6  ページ： 065502 (5pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温から300°C,55分間のポストアニーリングにより,多結晶への相転移中にガラス基板上に成長させた非晶質SnドープIn₂O₃膜の秩序化を明らかにした。二次元検出器によるX線回折は次のことを明らかにした。まず,微粒子を成長した。第二に,結晶子は(222)面に沿った成長結晶子と関連した(222)優先配向で成長した。同時に,結晶粒間の配列も促進された。最後に,結晶子間の配列を保持しながら,長距離秩序化は結晶子内で改善された。これらの知見に基づいて,明確な結晶化温度として,上記の最終段階が始まる温度を提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *その場観察 ,  *X線回折 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  *スズ ,  *ドーピング ,  *酸化インジウム ,  焼なまし ,  相転移 ,  基板 ,  *規則化 ,  微粒子 ,  優先配向 ,  結晶面 ,  結晶粒 ,  長範囲規則度 ,  晶出温度 ,  ガラス基板
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  *秩序化 ,  長距離秩序 ,  結晶化温度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線回折 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  Sn ,  ドープ ,  進展