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J-GLOBAL ID：202002283262335576   整理番号：20A1781679

X線天文学のための二重SOIピクセルセンサに対する放射線損傷効果【JST・京大機械翻訳】

Radiation damage effects on double-SOI pixel sensors for X-ray astronomy

著者 (22件)： Hagino Kouichi (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Yarita Keigo (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Negishi Kousuke (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Oono Kenji (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Hayashida Mitsuki (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Kitajima Masatoshi (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Kohmura Takayoshi (Department of Physics, School of Science and Technology, Tokyo University of Science, 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, Japan) ,  Tsuru Takeshi G. (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Tanaka Takaaki (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Uchida Hiroyuki (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Kayama Kazuho (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Amano Yuki (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Kodama Ryota (Department of Physics, Faculty of Science, Kyoto University, Kitashirakawa-Oiwakecho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8502, Japan) ,  Takeda Ayaki (Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen-Kibanodai-Nishi, Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Mori Koji (Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen-Kibanodai-Nishi, Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Nishioka Yusuke (Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen-Kibanodai-Nishi, Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Yukumoto Masataka (Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen-Kibanodai-Nishi, Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Hida Takahiro (Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, University of Miyazaki, 1-1 Gakuen-Kibanodai-Nishi, Miyazaki, Miyazaki 889-2192, Japan) ,  Arai Yasuo (Institute of Particle and Nuclear Studies, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tskuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Kurachi Ikuo (Department of Advanced Accelerator Technologies, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tskuba, Ibaraki 305-0801, Japan) ,  Hamano Tsuyoshi (National Institute of Radiological Sciences, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 4-9-1 Anagawa, Inage-ku, Chiba-City, Chiba, 263-8555, Japan) ,  Kitamura Hisashi (National Institute of Radiological Sciences, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 4-9-1 Anagawa, Inage-ku, Chiba-City, Chiba, 263-8555, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 978  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FORCE衛星搭載のX線SOI画素センサは,低地球軌道に配置され,その結果,主に地磁気トラップ宇宙線陽子によって引き起こされる放射効果に悩まされる。SOI画素センサに及ぼす放射の影響に関する以前の研究に基づいて,酸化物層にトラップされた正電荷はセンサの性能に大きく影響する。SOI画素センサの放射硬度を改善するために,酸化物層に追加の中間Si層を含む二重SOI(D-SOI)構造を導入した。中央Si層に適用した負の電位は,トラップされた正電荷のため,放射効果を補償する。高エネルギー加速器への応用のためのD-SOIピクセルセンサの放射線硬度を評価したが,D-SOIセンサにおける天文学的応用に対する放射線効果はこれまで評価されていない。D-SOIセンサの放射効果を評価するために,全線量約5kradの6MeV陽子ビームを用いた照射実験を行い,数10年の軌道内操作に対応した。この実験はX線D-SOIデバイスの放射線硬度の改善を示す。D-SOIデバイスへの5kradの照射を用いて,5.9keVのX線に対する全幅半値におけるエネルギー分解能は7±2%増加し,チップ出力利得は0.35±0.09%減少した。利得劣化の物理的メカニズムも調べた。利得劣化は,拡大した埋込みn井戸による寄生容量の増加に起因することが分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線天文学 ,  加速器 ,  *照射損傷 ,  電位 ,  *天文学 ,  放射線効果 ,  陽子ビーム ,  *放射線 ,  磁気トラップ ,  *画素 ,  放射線量 ,  利得 ,  漂遊容量 ,  センサ ,  硬度

著者キーワード (6件)： 放射線損傷 ,  SOIピクセル ,  X線 ,  イメージング分光法 ,  天文学 ,  TID

分類 (2件)： 素粒子・核物理実験計測用エレクトロニクス  (BE01020Q) ,  素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： X線天文学 ,  SOI ,  ピクセルセンサ ,  放射線損傷