文献

J-GLOBAL ID：202002283854930230   整理番号：20A1086093

多準位相変化メモリのためのK_2Sb_8Se_13におけるポリモルフィズム【JST・京大機械翻訳】

Polyamorphism in K₂Sb₈Se₁₃ for multi-level phase-change memory

著者 (10件)： Xu Meng (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China. [e-mail]) ,  Qiao Chong ,  Xue Kan-Hao ,  Tong Hao ,  Cheng Xiaomin ,  Wang Songyou ,  Wang Cai-Zhuang ,  Ho Kai-Ming ,  Xu Ming ,  Miao Xiangshui
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 19  ページ： 6364-6369  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリは,高い動作速度をもつ次世代メモリ技術の優れた候補であるが,メモリ容量は,技術者が新しい製品のために3D積層技術(3D XPoint)を追加しなければならないため,非常に満足できない。代わりに,マルチレベル記憶は,大きなデータ密度と将来の神経形態計算を可能にする容易なアプローチである。最近,K_2Sb_8Se_13は,結晶化前に興味ある非晶質-非晶質(多形)変態を示すので,多準位相変化材料としてかなりの注目を集めており,結晶相と同様にこれらの二つのポリモルフィック状態は明確な抵抗を示し,既存の「0」と「1」に新しいデータ状態を加えている。この新しい非晶質状態の理解と安定化はこの材料の応用の鍵である。ここでは,ab initioシミュレーションによりこれら二つの非晶質状態を調べた。これらの二つの状態は局所構造において明らかな違いを示し,低電子密度領域によって明らかにされた空孔濃度は,高密度相における原子クラスタ間のより強い相互作用を示すことを見出した。状態密度と電子局在化関数を解析し,電子正孔の添加が抵抗の減少に大きく関与することを確認した。本研究では,K_2Sb_8Se_13における多準位抵抗状態の起源を発見し,この材料に基づく新しい相変化メモリ素子の設計の道を開いた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *位相シフト ,  結晶化 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  強い相互作用 ,  電子密度 ,  記憶容量 ,  非晶質 ,  状態密度 ,  三次元
準シソーラス用語： 局所構造 ,  マルチレベル ,  原子クラスタ ,  *相変化メモリ ,  結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化メモリ ,  ポリモルフィズム