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J-GLOBAL ID：202002284063524603   整理番号：20A2245523

グラフェンとAs_2S_3のVan der Waalsヘテロ構造:垂直歪によるSchottky障壁高さの調整【JST・京大機械翻訳】

Van der Waals heterostructure of graphene and As₂S₃: Tuning the Schottky barrier height by vertical strain

著者 (4件)： Liu Xuefei (Key Laboratory of Low Dimensional Condensed Matter Physics of Higher Educational Institution of Guizhou Province, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China) ,  Lv Bing (Key Laboratory of Low Dimensional Condensed Matter Physics of Higher Educational Institution of Guizhou Province, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China) ,  Ding Zhao (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Luo Zijiang (College of Information, Guizhou University of Finance and Economics, Guiyang 550025, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 549  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンベースのvan der Waals(vdW)ヘテロ接合は,オプトエレクトロニクス,ナノエレクトロニクスおよびスピントロニクスの分野でますます注目を集めている。このような種類のヘテロ接合で形成されたSchottky障壁高さ(SBH)の同調性は,実際の応用にとってかなり重要である。本研究では,第一原理計算に基づいて,グラフェン/As_2S_3ヘテロ接合の電子構造と界面特性を系統的に研究した。結果は,対応する個々の対応物の固有電子特性が接触後に保存されることを示した。Bader電荷分析は,As_2S_3からグラフェンへの電子移動量が層間距離の減少と共に増加することを示した。その結果,Schottky接触は,層間距離が2.78Åより低いと,n型からp型に調整される。著者らの知見は,SBHが制御可能であり,ナノ電子デバイスにおいて非常に望ましいことを意味する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  電荷 ,  電子構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子移動 ,  スピントロニクス ,  層間隔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノエレクトロニクス ,  第一原理計算 ,  界面特性 ,  *Schottky障壁高さ ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン/As_2S_3界面 ,  垂直歪 ,  Schottky障壁高さ ,  第一原理

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  垂直歪 ,  Schottky障壁高さ