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J-GLOBAL ID：202002284088283943   整理番号：20A1900399

Si基板上のSiC/Si基板およびInGaNナノ構造上のGaN NWsのMBE合成および特性【JST・京大機械翻訳】

MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

著者 (11件)： Reznik R R (Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia) ,  Reznik R R (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia) ,  Reznik R R (Institute for Analytical Instrumentation RAS, Rizhsky 26, 190103, St-Petersburg, Russia) ,  Reznik R R (St Petersburg University, Universitetskaya Emb. 13B, 199034, St-Petersburg, Russia) ,  Kotlyar K P (Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia) ,  Khrebtov A I (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia) ,  Kukushkin S A (Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Science, Bolshoj 6, 199178, St. Petersburg, Russia) ,  Kryzhanovskaya N V (Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia) ,  Cirlin G E (Alferov University, Khlopina 8/3, 194021, St-Petersburg, Russia) ,  Cirlin G E (ITMO University, Kronverkskiy pr. 49, 197101, St-Petersburg, Russia) ,  Cirlin G E (Institute for Analytical Instrumentation RAS, Rizhsky 26, 190103, St-Petersburg, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1537  号： 1  ページ： 012003 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC/SiとSi基板上の分岐形態MBE成長のGaN NWsとInGaNナノ構造の可能性を実証した。SiC/Si(111)基板上のGaN NWの光ルミネセンススペクトルの強度は,炭化ケイ素のバッファ層のないGaN NWの最良の構造よりも2倍以上高いことが分かった。形態学的研究の結果は,InGaN合成がいくつかの段階で起こることを示した。InGaNナノ構造は,室温で光学活性であり,広い放射可視域を有することが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  光学活性 ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  バッファ層 ,  *ナノ構造 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *InGaN ,  光ルミネセンススペクトル ,  シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  SiC ,  InGaN ,  ナノ構造 ,  GaN ,  NWS ,  MBE