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J-GLOBAL ID：202002284290879926   整理番号：20A2443273

強誘電体LパターンゲートデュアルトンネルダイオードTFETにおける電気特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Electrical Characteristics in a Ferroelectric L-Patterned Gate Dual Tunnel Diode TFET

著者 (2件)： Ghosh Puja (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India) ,  Bhowmick Brinda (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 67  号： 11  ページ： 2440-2444  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,高ドープ(p++型)二重トンネルダイオード(DTD)を有する強誘電体L-スパッタゲートTFETを提示して,それは垂直トンネルと同様に負の静電容量の概念を分析した。トンネル接合とチャネル方向は,トンネル接合の広い領域を容易にする垂直である。さらに,ON電流はn+ポケットの導入により増強された。I_ON/I_OFF比を大きくするために,強誘電体とポケットの厚さを最適化することにより,デバイスアーキテクチャを系統的に設計した。累積された穴は,DTDによって生成されるトンネル電流によって排出され,キンク効果を減少させる。29mV/decadeの最小サブ閾値スイング(SS)で10-5A/μmオーダーの強化されたON電流を達成した。提案したTFET構造の特性を既存のTFET設計と比較し,提案した設計は高性能と超低電力応用に適したデバイスであることを証明した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  最適化 ,  電流 ,  *トンネルダイオード ,  キンク ,  ドーピング ,  トンネル接合 ,  静電容量 ,  *電気特性 ,  チャネル ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  超低消費電力 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  TFET ,  電気特性 ,  研究