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J-GLOBAL ID：202002284661539395   整理番号：20A0811438

高信頼性でエネルギー効率の良い放射線硬化12T SRAMセル設計【JST・京大機械翻訳】

A Highly Reliable and Energy Efficient Radiation Hardened 12T SRAM Cell Design

著者 (2件)： Kumar Chaudhry Indra (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India) ,  Anand Bulusu (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 20  号： 1  ページ： 58-66  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,近閾値電圧領域における単一イベント多重ノードアップセット(SEMNU)を許容するために,設計(RHD)によって放射された放射線である新しいエネルギー効率12Tメモリセルを提案した。提案したメモリセルの放射線硬度は,ダミーアクセストランジスタを通して交差結合インバータのPMOSデバイスを制御することにより改善される。提案したメモリセルをSTMicroエレクトロニクス 65nm CMOS技術で検証した。ポストレイアウト寄生抽出シミュレーションにより,提案したRHD-12Tメモリセルを用いることにより,レイアウト面積,電力消費,読出し/書込みアクセス時間,および読出し/書込み静的雑音マージンの平均改善を,0.4Vの供給電圧で最近報告された12Tメモリセル上で得ることを示した。また,技術計算機支援設計(TCAD)混合モードシミュレーションを用いて,32nm CMOS技術ノードで提案したメモリセルを検証した。32nm技術において,提案したRHD-12Tメモリセルは,0.3Vの電源電圧において12Tメモリセル上で,電力消費,読出し/書込みアクセス時間,および読出し/書込み静的雑音マージンにおいてそれぞれ~15%,10%/56%および8%/10%の平均改善を示した。レイアウトトポロジー,HSPICEポストレイアウトシミュレーションとTCAD混合モードシミュレーション結果を結合して,提案したメモリセルがSEMNUだけでなく単一イベントアップセットを効果的に許容することを示した。32nm技術において,著者らの記憶セルは,SEMNU耐性を62Mev-cm~2/mgに等しいLETの値まで提供することができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *放射線 ,  電子技術 ,  CMOS ,  トランジスタ ,  *SRAM ,  SEU【シングルイベント】 ,  位相幾何学 ,  呼出時間 ,  多重化 ,  記憶素子 ,  電力消費 ,  混合モード ,  シミュレーション ,  CAD【計算機】 ,  雑音

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高信頼性 ,  エネルギー効率 ,  放射線硬化 ,  SRAM ,  セル設計