文献

J-GLOBAL ID：202002284809443403   整理番号：20A1641005

反強磁性Mott絶縁体CeOIのエピタキシャル成長とバンド構造【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth and band structure of antiferromagnetic Mott insulator CeOI

著者 (8件)： Cai Xinqiang (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xu Zhilin (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhou Hui (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Ren Jun (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Na (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Meng Sheng (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Ji Shuai-Hua (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Chen Xi (State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics, Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 4  号： 6  ページ： 064003  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals材料CeOIは,密度汎関数理論[数式:原文を参照]計算により層状反強磁性Mott絶縁体であると予測した。分子線エピタキシーを用いてグラフェン/6H-SiC(0001)基板上に単層までCeOI膜を成長させた。膜をin situ走査トンネル顕微鏡と分光法で調べ,4.4eVのバンドギャップを示した。組成未同定の金属相も存在する。この希土類オキシハロゲン化物は,2次元磁性材料にメンバーを加える。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バンド構造 ,  *反強磁性 ,  磁性材料 ,  二次元 ,  単一層 ,  MBE成長 ,  密度汎関数法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： *Mott-Hubbard絶縁体 ,  金属相 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反強磁性 ,  Mott絶縁体 ,  エピタキシャル成長 ,  バンド構造