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J-GLOBAL ID：202002285036468671   整理番号：20A0829417

RC MOSFETにおけるデバイス性能改善のための異なるゲート材料の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Different Gate Materials for Improved Device Performance in RC MOSFET

著者 (3件)： Kumar Ajay (Delhi Technological University,Electrical Engineering Department,Delhi,India) ,  Tripathi M. M. (Delhi Technological University,Electrical Engineering Department,Delhi,India) ,  Chaujar Rishu (Delhi Technological University,Applied Physics Department,Delhi,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： RTEICT  ページ： 1653-1656  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,サブ20nm MOSデバイスのための最も望ましいゲート材料を調べる目的で,リセスチャネル(RC)MOSFETにおけるゲート材料として,金属,インジウムすず酸化物(ITO),黒リン酸(BP),酸化亜鉛(ZnO)および窒化チタン(窒化チタン)の比較研究を検討した。その結果から,RC MOSFETの特性は相互コンダクタンス(g_m)(2倍),スイッチング比(I_on)(10~10~8),サブ閾値勾配(SS)(47.69%),電子移動度(45.4%)および電場(71.4%)により著しく改善されることが分かった。したがって,この分析は,ナノ電子デバイスとIC設計における応用にさらに使用できるゲート材料としてのブラックリンの可能性を実証する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  酸化インジウムスズ ,  相互コンダクタンス ,  酸化亜鉛 ,  リン ,  電場 ,  *MOSFET ,  リン酸 ,  チャネル ,  電子移動度 ,  サブ閾値 ,  窒化チタン
準シソーラス用語： 集積回路設計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： RC ,  MOSFET ,  性能改善 ,  ゲート ,  研究