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J-GLOBAL ID：202002285052369533   整理番号：20A0265079

Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAMセルにおけるフィラメント型および界面型スイッチングを示すユニークな抵抗スイッチング現象【JST・京大機械翻訳】

Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells

著者 (3件)： Kanegami Naoki (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Nishi Yusuke (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 1  ページ： 013501-013501-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ(PCMO)/Pt積層構造を有する抵抗性ランダムアクセスメモリセルの電流-電圧特性を研究した。Pt上のPCMO層は混合多結晶と非晶質構造を有していた。セルは,PCMO層厚に依存して,界面型およびフィラメント型抵抗スイッチング(RS)を示した。界面型RSは酸素イオンの移動に起因し,Ti/PCMO界面での酸化還元反応とTiO_x層の形成を引き起こした。フィラメント型RSでは,形成過程が起こり,これはPCMO層における導電性フィラメントの形成を示した。形成後,細胞は界面型RSに類似した双極性および連続RSを示した。これは,PCMO層における導電性フィラメントの形成とTi/PCMO界面における酸化還元反応の両方が同じセルで起こることを示した。最後に,観測されたRS現象に対する定性的モデルを,従来の界面型RSに基づいて議論した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 積層構造 ,  電流電圧特性 ,  層厚 ,  *白金 ,  フィラメント ,  スイッチング ,  酸化還元反応 ,  多結晶 ,  *界面
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  酸素イオン ,  非晶質構造 ,  *抵抗スイッチング ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ti ,  Pt ,  ReRAM ,  セル ,  フィラメント ,  界面 ,  スイッチング ,  抵抗スイッチング ,  現象