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J-GLOBAL ID：202002285179290315   整理番号：20A1114687

光支援化学浴法により堆積したセレン化亜鉛薄膜の相変態:アニーリング温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Phase transformation on zinc selenide thin films deposited by photo-assisted chemical bath method: The effect of annealing temperature

著者 (8件)： Hile D.D. (Department of Physics, University of the Free State, 9866, Phuthaditjhaba, South Africa) ,  Swart H.C. (Department of Physics, University of the Free State, ZA9300, Bloemfontein, South Africa) ,  Motloung S.V. (Department of Physics, Nelson Mandela University, P. O. Box 77000, Port Elizabeth, 6031, South Africa) ,  Motloung S.V. (Department of Physics, Sefako Makgatho Health Sciences University, P.O. Box 94, Medunsa, 0204, South Africa) ,  Pawade V.B. (Department of Applied Physics, Laxminarayan Institute of Technology, RTMNU, Nagpur, 440033, India) ,  Kroon R.E. (Department of Physics, University of the Free State, ZA9300, Bloemfontein, South Africa) ,  Egbo K.O. (Department of Physics, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Ave., Kowloon, Hong Kong) ,  Koao L.F. (Department of Physics, University of the Free State, 9866, Phuthaditjhaba, South Africa)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 115  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化亜鉛(ZnSe)薄膜を光支援化学浴堆積法によりガラス基板上に堆積した。この膜を空気中で100,150,200,250,300,350および400°Cの異なる温度で2時間アニーリングし,異なる技術を用いて特性化した。すれすれ入射X線回折(GIXRD)は,堆積したままの試料と100~200°Cでアニールした膜がZnSeと未反応ZnとSeの結合効果により二次ピークを含むことを示した。250及び300°Cでアニールした膜は純粋な六方晶ZnSe相を示したが,350及び400°Cでアニールした膜は六方晶ZnOに変化した。評価した結晶子サイズはアニーリング温度の上昇と共にサイズが減少することが分かった。相の変化もRaman分光,走査電子顕微鏡および紫外可視分光で観察した。原子間力顕微鏡写真はアニーリング温度の上昇と共に表面粗さの減少を示した。エネルギーバンドギャップはアニーリング温度と共に増加した。バンド端と欠陥準位による三つの発光バンドを光ルミネセンス分光法で観測した。寿命の減衰はアニーリング温度に対して規則的な依存性を示さなかった。回折角,格子定数およびエネルギーバンドギャップのようなパラメータがバルクZnSeに最も近いので,250°Cでアニールした試料を考慮した。委員会照明委員会は,色純度56~97%の青色発光色を示した。膜,特に250°C試料は照明用途に推奨された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子定数 ,  *焼なまし ,  走査電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  *セレン ,  温度依存性 ,  六方晶系 ,  *セレン化亜鉛 ,  欠陥準位 ,  結晶粒径 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *アニーリング温度 ,  紫外可視分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： セレン化亜鉛 ,  光支援化学浴析出 ,  薄膜 ,  アニーリング温度 ,  相変態 ,  酸化亜鉛

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 支援 ,  化学 ,  堆積 ,  セレン化亜鉛 ,  薄膜 ,  相変態 ,  アニーリング温度