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J-GLOBAL ID：202002285378667961   整理番号：20A2553343

SiC MOSFETハーフブリッジコンバータに及ぼすボディダイオード逆回復効果【JST・京大機械翻訳】

Body Diode Reverse Recovery Effects on SiC MOSFET Half-Bridge Converters

著者 (6件)： Pulvirenti Mario (STMicroelectronics,Power Transistor Macro Division,Automotive & Discrete Group,Catania,Italy) ,  Sciacca Angelo G. (STMicroelectronics,Power Transistor Macro Division,Automotive & Discrete Group,Catania,Italy) ,  Salvo Luciano (STMicroelectronics,Power Transistor Macro Division,Automotive & Discrete Group,Catania,Italy) ,  Nania Massimo (STMicroelectronics,Power Transistor Macro Division,Automotive & Discrete Group,Catania,Italy) ,  Scelba Giacomo (University of Catania,Department of Electric, Electronic and Computer Engineering,Catania,Italy) ,  Scarcella Giuseppe (University of Catania,Department of Electric, Electronic and Computer Engineering,Catania,Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 2871-2877  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,デバイススイッチング速度限界に及ぼすSiC MOSFETボディダイオード逆回復の影響を評価することである。HIP 247-4Lパッケージの1200V,130A SiC MOSFETから成るハーフブリッジコンバータ脚を本研究で解析し,実験テストを行い,電力デバイスが極端な条件で運転される時の電気応力を評価した。結果は,逆回復プロセスが,現在の傾斜と温度に関して,操作条件によって著しく影響を受ける方法を強調する。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *速度 ,  *ダイオード ,  *半導体素子 ,  *MOSFET ,  *条件
準シソーラス用語： パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  ハーフブリッジ ,  コンバータ ,  ボディダイオード ,  回復