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J-GLOBAL ID:202002285443080158   整理番号:20A0390310

新しいケイ素1,1,3,3-テトラメチルグアニジナート誘導体の合成,キャラクタリゼーションおよび熱的性質と単一源化学蒸着前駆体としての使用【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, characterization, and thermal properties of novel silicon 1,1,3,3-tetramethylguanidinate derivatives and use as single-source chemical vapor deposition precursors
著者 (7件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: e5349  発行年: 2020年 
JST資料番号: T0416A  ISSN: 0268-2605  CODEN: AOCHEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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一連の化学蒸着(CVD)前駆体を,1,1,3,3-テトラメチルグアニジンと種々の塩化ケイ素の一段階反応により合成した。1,1,3,3-テトラメチルグアニジン酸塩に基づく化合物の構造を,1H NMR,13C NMR,XPS,EI-MSおよび元素分析により検証した。これらの化合物の熱安定性,輸送挙動および蒸気圧を,同時熱分析(STA)によって評価した。これらの化合物は非常に安定で,液体形の化合物は非常に揮発性である。炭化ケイ素(SiCN)薄膜を,ヘリコン波プラズマ化学蒸着(HWP-CVD)における前駆体としてビス(テトラメチルグアニジン)-ジメチル-シランを用いて調製した。膜の特性をSEM,AFMおよびXPSにより調べた。その結果,膜は良好な均一性,低摩擦係数,高硬度を有し,半導体デバイスの作製のための膜を可能にすることが分かった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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塩基,金属酸化物  ,  有機すず・鉛・ポロニウム化合物 

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