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J-GLOBAL ID：202002286211625935   整理番号：20A1060074

二重金属無接合蓄積ナノチューブFET(DM-JAM-TFET)におけるゲート誘起ドレイン漏れと線形性評価の物理ベース解析モデリングとシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Physics-based analytic modeling and simulation of gate-induced drain leakage and linearity assessment in dual-metal junctionless accumulation nano-tube FET (DM-JAM-TFET)

著者 (4件)： Goel Anubha (Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India) ,  Rewari Sonam (Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India) ,  Verma Seema (Department of Electronics and Communication, Banasthali University, Niwai, Banasthali, Rajasthan, India) ,  Gupta R. S. (Department of Electronics and Communication Engineering, Maharaja Agrasen Institute of Technology, New Delhi, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 5  ページ： 346  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では物理ベースの解析モデルを提案した。この論文では,二重金属接合のない蓄積ナノチューブFET(DM-JAM-TFET)におけるゲート誘起ドレイン漏れ(GIDL)に及ぼす温度,チャネル長およびシリコン膜半径の影響を解析した。電場,E_z,表面電位およびゲート誘起ドレイン漏れ電流,I_GIDLに対する定式化および解析を,二次元Poisson方程式を解く際に利用される適切な境界条件の助けを借りて行った。また,T=300Kおよび500K,シリコン膜チャネル長(L30nmおよび40nm)およびR=9nmおよびR=10nmの半径における温度変化の影響を研究した。シミュレーション結果は解析結果と良く一致した。RFIC応用のためのDM-JAM-TFETの適用性を解析するために,チャネル長さL=20nmでのDM-JAM-TFETとJAM-GAAおよびDM-JAM-GAAを比較することにより,前記装置の線形性を深く調べた。直線性計量,すなわち,g_m1,g_m2,g_m3,VIP2,VIP3,IMD3およびIIP3は,DM-JAM-TFETにおいて著しく改善され,それを相互変調歪耐性にした。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  電場 ,  表面電位 ,  MOSFET ,  *重金属 ,  Poisson方程式 ,  境界条件 ,  漏れ電流 ,  二次元 ,  温度変動 ,  定式化 ,  *ナノチューブ ,  解析モデル
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ナノチューブ ,  MOSFET ,  線形性 ,  ゲート漏れ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (15件)： 重金属 ,  蓄積 ,  ナノチューブ ,  FET ,  JAM ,  TFET ,  ゲート ,  誘起 ,  ドレイン ,  線形性 ,  評価 ,  物理 ,  解析 ,  モデリング ,  シミュレーション