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J-GLOBAL ID：202002286325059798   整理番号：20A1952727

エピタキシャル成長させたRuシリサイド薄膜に及ぼす高温アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of High-Temperature Annealing on Epitaxially Grown Ru Silicide Thin Films

著者 (3件)： Fouda A. N. (Physics Department, Faculty of Science and Arts, King Abdul Aziz University, Rabigh, Saudi Arabia) ,  Fouda A. N. (Physics Department, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  Eid E. A. (Department of Basic Science, Higher Technological Institute, 10th of Ramadan City, Egypt)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 12  号： 10  ページ： 2387-2393  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長は,ルテニウム(Ru)ケイ化物膜を成長させるために行われた。分子線エピタキシー(MBE)法を用いてSi(100)基板上に膜を成長させた。最初に,低温Siバッファ層を400°Cの比較的低い温度で成長させ,格子歪とRuケイ化物エピ層を750°Cで成長させた。第2に,成長膜に及ぼす1050°Cの高温アニーリングの影響を描いた。表面形態および微細構造特性を調べるために,原子間力顕微鏡(AFM),透過型電子顕微鏡TEMおよびX線回折(XRD)測定を行った。Ru_2Si_3相のピークだけがXRD測定で記録された。X線光電子分光法(XPS)を用いてRuケイ化物膜の化学的および電子的組成を明らかにし,Ru_2Si_3の生成に対する組成比の検出可能な変化をアニーリング後に確立した。さらに,Raman分光法を利用して,エンティティ相の特性モードを評価した。Copyright Springer Nature B.V. 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *高温 ,  格子歪 ,  *焼なまし ,  低温 ,  電子顕微鏡観察 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  *ルテニウム ,  *ケイ化物 ,  *薄膜成長 ,  MBE成長 ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  バッファ層
準シソーラス用語： エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリサイド ,  X線光電子分光法 ,  成長パラメータ ,  Ru ,  MBE ,  Ramanスペクトル

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  Ru ,  シリサイド ,  薄膜 ,  アニーリング