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J-GLOBAL ID：202002286341079825   整理番号：20A1884188

非晶質ルブレン不動態化層を用いたペンタセン系有機FETの熱安定性の改善

Improvement of the thermal stability of a pentacene-based organic FET utilizing an amorphous rubrene passivation layer

著者 (2件)： Park Kyung Eun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, J2-72, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Ohmi Shun-ichiro (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, J2-72, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SD  ページ： SDDC02 (5pp)  発行年： 2020年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ペンタセン系有機FET(OFET)の熱安定性を非晶質ルブレン(α-ルブレン)不動態化層を用いて調べた。厚さ10nmのペンタセンチャネル層をRTと100°Cで堆積した。RTでペンタセン上にその場析出したα-ルブレン不動態化層の影響を調べた。電気特性と結晶度の安定性を空気中で100°Cに加熱した後のものと比較した。α-ルブレン不動態化層なしで堆積したペンタセンでは,加熱プロセス後にデバイス性能は著しく劣化した。一方,α-ルブレン不動態化層を有するペンタセン系OFETの素子特性は,加熱後に安定であった。さらに,α-ルブレン不動態化層は加熱過程でペンタセン層の結晶性を安定化した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *熱安定性 ,  非晶質 ,  *不動態皮膜 ,  *有機半導体 ,  *芳香族炭化水素 ,  半導体薄膜 ,  熱処理 ,  *結晶度 ,  *電流電圧特性 ,  X線回折 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ルブレン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  ルブレン ,  不動態化 ,  ペンタセン ,  有機FET ,  熱安定性