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J-GLOBAL ID：202002286356005386   整理番号：20A2209885

直接化学蒸着によるMoS_2/SiC光検出器の容易な集積【JST・京大機械翻訳】

Facile integration of MoS₂/SiC photodetector by direct chemical vapor deposition

著者 (10件)： Xiao Yifan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Min Long (College of Materials Science and Engineering, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu Xinke (College of Materials Science and Engineering, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu Wenjun (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Younis Usman (College of Materials Science and Engineering, Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Peng Tonghua (Tankeblue Semiconductor Co. Ltd, Beijing 102600, China) ,  Kang Xuanwu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wu Xiaohan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Ding Shijin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： Nanophotonics (Web)  (Nanophotonics (Web))
巻： 9  号： 9  ページ： 3035-3044  発行年： 2020年 
JST資料番号： U8087A  ISSN： 2192-8614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals力により積層した異なる基板上のMoS_2光検出器は,オプトエレクトロニクスにおける大きな可能性のために広く研究されている。ここでは,直接化学蒸着によって単結晶SiC基板上に多層MoS_2を統合した。SiC基板上のMoS_2膜は,高い品質と熱安定性を示し,[数式:原文を参照]Ramanモードに対する半値全幅と一次温度係数は,それぞれ4.6cm-1と-0.01382cm-1/Kであった。作製した光検出器は,20Vのバイアスと10-13~10-15W/Hz1/2の低い雑音等価で,λ>1nAの非常に低い暗電流を含むUVと可視領域で優れた性能を示した。MoS_2/SiC光検出器の最大応答性は,365nm(UV光)で4.35μWの入射光パワーで5.7A/Wであった。さらに,365nm照明下で作製した検出器の最大光伝導利得,雑音等価電力,正規化検出感度は,それぞれ79.8,7.08×10-15W/Hz1/2,3.07×1010Jonesatであった。MoS_2/SiCに基づく高性能光検出器アレイを直接化学気相成長により統合する可能性を実証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光伝導 ,  雑音 ,  紫外線 ,  単結晶 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  *炭化ケイ素 ,  暗電流 ,  利得 ,  オプトエレクトロニクス ,  *化学蒸着 ,  光検出器アレイ ,  正規化 ,  FWHM
準シソーラス用語： 可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  SiC ,  化学蒸着 ,  光検出器

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学蒸着 ,  SiC ,  光検出器 ,  集積