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J-GLOBAL ID：202002286658262714   整理番号：20A2579697

熱真空蒸発により作製したオプトエレクトロニクスデバイスに用いるナノ結晶シリコン薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Nanocrystalline Silicon Thin Films Utilized for Optoelectronic Devices Prepared by Thermal Vacuum Evaporation

著者 (5件)： Abo Ghazala Magdy S. (Physics Department, Faculty of Science, Menoufia University, Menoufia, Egypt) ,  Othman Hosam A. (Physics Department, Faculty of Science, Menoufia University, Menoufia, Egypt) ,  Sharaf El-Deen Lobna M. (Physics Department, Faculty of Science, Menoufia University, Menoufia, Egypt) ,  Nawwar Mohamed A. (Physics Department, Faculty of Science, Menoufia University, Menoufia, Egypt) ,  Kashyout Abd El-hady B. (Electronic Materials Department, Advanced Technology and New Materials Research Institute, City of Scientific Research and Technological Applications (SRTA-City), Alexandria, Egypt)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 5  号： 42  ページ： 27633-27644  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコンの金属誘起結晶化は高品質で安価なオプトエレクトロニクスデバイスを開発するための有望な技術である。多くの試みは,異なるアニーリング時間と温度でアルミニウム誘起結晶化による多結晶シリコンの結晶成長を増強することを試みた。本研究では,アルミニウム/シリコン(Al/Si)およびアルミニウム/シリコン/スズ(Al/Si/Sn)層の薄膜を,設計したワイヤタングステンボートを用いた熱蒸着法を用いて作製した。a:SiのMICを500°Cのアニーリング温度でX線回折,Raman分光法,および電界放出走査電子顕微鏡を用いて検出した。膜の結晶性はアニーリング時間の増加により増強された。3層薄膜では,高配向(111)シリコンを形成するAlとSn金属の両方の存在のため,MICが生じた。寸法が5から300nmのナノ結晶シリコンは,構造と継続時間に依存して生成した。UV-vis分光法を用いて,低表面反射と光学エネルギーギャップの変化を検出した。Al/Si膜よりもAl/Si/Sn膜の高い伝導率が両金属の存在により観察された。24時間アニールしたFTO層上のAl/Si/Snから製造した高整流理想ダイオードは,このデバイスが光電子デバイス応用の大きな機会を有することを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶化 ,  結晶成長 ,  焼なまし ,  ダイオード ,  *薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  アルミニウム ,  スズ ,  タングステン ,  結晶度 ,  金属線 ,  整流 ,  アモルファスシリコン ,  *ナノ結晶 ,  ポリシリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空蒸発 ,  作製 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  ナノ結晶 ,  シリコン薄膜