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J-GLOBAL ID：202002286807979024   整理番号：20A0572802

非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタ記憶デバイスのための優れた原子層堆積技術【JST・京大機械翻訳】

Superior Atomic Layer Deposition Technology for Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor Memory Devices

著者 (2件)： Ding Shi-Jin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, People’s Republic of China) ,  Wu Xiaohan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, People’s Republic of China)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 32  号： 4  ページ： 1343-1357  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化物半導体(AOS)薄膜トランジスタ(TFT)に基づく電荷捕獲不揮発性メモリは,次世代のフレキシブルで透明な電子システムのためのユニークなメリットを示す。しかし,メモリ素子は,高消費電力,低動作速度,不十分なデータ保持などのいくつかの課題に直面している。多くの利点を有する原子層堆積(ALD)技術は,挑戦を克服することが期待されている。この展望では,AOS TFTメモリのALD作製プロセスと電気的特性を,電荷蓄積層,電荷ブロッキング/トンネリング層,および活性チャネル層を含む素子構成要素の観点からレビューした。一方,メモリデバイスの性能を向上させるために,デバイス構造,材料,およびプロセスのエンジニアリングをALD技術と組み合わせることによってさらに議論する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *非晶質 ,  記憶素子 ,  消費電力 ,  素子構造 ,  電気的性質 ,  トンネル効果 ,  ブロッキング ,  不揮発性メモリ ,  *薄膜トランジスタ ,  帯電 ,  *記憶装置 ,  電子装置 ,  電荷
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 二次電池  (YB04030K) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  記憶デバイス ,  原子層堆積