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J-GLOBAL ID：202002287167909196   整理番号：20A0524458

還元焼結-再酸化法により調製した[数式:原文を参照]ドープ[数式:原文を参照]ベースのチップ型セラミックにおけるPTCR特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of PTCR characteristics in [Formula : see text]-doped [Formula : see text]-based chip-type ceramics prepared by reduction sintering-reoxidation method

著者 (5件)： Cheng Xuxin (School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China) ,  Chen Xiaoming (School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China) ,  Cui Haining (School of Electronic and Electrical Engineering, Zhaoqing University, Zhaoqing 526061, P. R. China) ,  Wang Yuxin (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P. R. China) ,  Xiong Chao (School of Photoelectric Engineering, Changzhou Institute of Technology, Changzhou 213001, P. R. China)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 34  号： 1-3  ページ： 2040047  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,[数式:原文を参照](BTNO)セラミックの電気的性質と正の温度係数(PTCR)に及ぼす焼結条件の影響を調べ,還元雰囲気中で1~6時間の[数式:原文を参照]Cで焼成し,[数式:原文を参照]-[数式:原文を参照]Cの温度範囲内で1時間再酸化した。結果は,多層BTNOセラミックの室温(RT)抵抗と抵抗ジャンプが焼成時間の増加と共に減少することを示した。さらに,BTNO試料のRT抵抗は,再酸化温度の上昇と共に,最初は徐々に増加し,次に急速に増加した。さらに,セラミックの微細構造に及ぼす焼結時間の影響も調べた。Copyright 2020 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼結 ,  エレクトロセラミック ,  多層 ,  *セラミック ,  微細構造 ,  ドーパント ,  *ドーピング ,  温度係数 ,  電気的性質
準シソーラス用語： 焼結時間 ,  温度範囲 ,  還元雰囲気 ,  *再酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： [数式:原文を参照] ,  [数式:原文を参照]-ドーパント ,  PTCR効果 ,  焼結条件 ,  エレクトロセラミックス

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 還元 ,  焼結 ,  再酸化 ,  調製 ,  数式 ,  参照 ,  ドープ ,  セラミック ,  PTCR ,  研究