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J-GLOBAL ID：202002287923853297   整理番号：20A1132649

低温成長からの高効率超薄Cu(In,Ga)Se_2太陽電池のための酸化モリブデン/Cu(In,Ga)Se_2界面におけるエネルギーバンド整列【JST・京大機械翻訳】

Energy Band Alignment in Molybdenum Oxide/Cu(In,Ga)Se₂ Interface for High-Efficiency Ultrathin Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cells from Low-Temperature Growth

著者 (9件)： He Zhichao (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Liu Yang (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Lin Shuping (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Shi Sihan (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Sun ShuLong (Guang Dong Hanergy Thin-film Solar Co., Ltd., P.R.China) ,  Pang Jinbo (Collaborative Innovation Center of Technology and Equipment for Biological Diagnosis and Therapy in Universities of Shandong, Institute for Advanced Interdisciplinary Research (iAIR), University of Jinan, Shandong, China) ,  Zhou Zhiqiang (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Sun Yun (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China) ,  Liu Wei (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin Film Devices and Technology, Nankai University, P.R. China)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： 3408-3414  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,酸化モリブデン(MoO_x)を背面接触層として用いて,低温3段階共蒸発プロセスにより合成したCIGS吸収体を有する超薄Cu-(In,Ga)-Se_2(CIGS)太陽電池の素子性能を改善した。この寄与は,詳細に固有の機構と改良されたデバイス性能の研究に焦点を合わせている。著者らの研究は,CIGS/Mo界面のエネルギーバンドを調整でき,Schottky障壁を低減できることを示した。MoO_xのない参照サンプルと比較して,10nmのMoO_xを有する新しいデバイスのバック障壁高さは,エネルギーバンド構造の改良のため,43.83から15.98meVまで著しく減少した。一方,wxAMPSシミュレーションの結果は,エネルギーバンドが適切な厚さのMoO_x膜を有するデバイスにおいて上方に曲がり,キャリア輸送を促進し,MoO_x/Cu-(In,Ga)-Se_2界面における電荷キャリアの再結合を抑制することを確証した。さらに,MoO_x膜が十分薄いとき,キャリアはトンネリングによってMoO_x/CIGS界面を通して輸送することができた。最後に,MoO_x膜の厚さを制御することによって,低温3段階共蒸発過程の下でMoO_x厚さを最適化することによって,0.5μmのCIGS太陽電池において10.38%の効率を達成した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  *界面 ,  再結合 ,  最適化 ,  シミュレーション ,  蒸発 ,  *太陽電池 ,  *低温 ,  トンネル効果 ,  *モリブデン ,  *酸化モリブデン ,  吸収体
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  電荷キャリア ,  CIGS太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu(Ga)Se_2 ,  MoO_x ,  超薄膜 ,  エネルギーバンド ,  低温

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温成長 ,  高効率 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  酸化モリブデン ,  界面 ,  エネルギー ,  バンド整列