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J-GLOBAL ID：202002288541087105   整理番号：20A2798979

優れた電界エミッタとしての3D花様GaNナノ構造における形態の役割【JST・京大機械翻訳】

Morphology role in 3D flower like GaN nanostructures as excellent field emitters

著者 (2件)： Nabi Ghulam (Nanotechnology Lab, Department of Physics, University of Gujrat, Gujrat 50700, Pakistan) ,  Nabi Ghulam (Research Centre of Materials Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, PR China)
資料名： Materials Today Communications  (Materials Today Communications)
巻： 25  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3060A  ISSN： 2352-4928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビルディングブロックとして鋭い先端花弁から成る花様(水)GaNナノ構造を,いかなる触媒も使用せずに化学蒸着(CVD)法によりSi(100)基板上に合成した。得られたナノ構造をFESEM,XRD,EDS,TEMおよびHRTEMによって特性化した。ナノ構造の花弁の鋭い先端角は,ほぼ50°であり,これは,許容可能な電界放出特性において重要な役割を持つ。花状GaNナノ構造は,室温で3.25Vμm-1(10μAcm-2)のより低いターンオン電界値を示し,その高い安定性を描写するわずかな電界放出電流変動を示した。重要なことに,このターンオン電場値は電界放出デバイスの利用に十分低い。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  電界放出 ,  半導体 ,  刃先角 ,  電流変動 ,  化学蒸着 ,  *窒化ガリウム ,  *三次元 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： HRTEM ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *電界エミッタ ,  ビルディングブロック ,  ターンオン電界 ,  シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNナノフラワー ,  半導体 ,  化学蒸着 ,  電界放出

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界エミッタ ,  3D ,  花 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  形態 ,  役割