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J-GLOBAL ID：202002288559849642   整理番号：20A1002907

静電ドーピングを用いたシリコンオンインシュレータ中に構築した低暗電流のフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

Photodiode with low dark current built in silicon-on-insulator using electrostatic doping

著者 (6件)： Liu J. (State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Zhu K.-M. (State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Zaslavsky A. (Department of Physics and School of Engineering, Brown University, Providence, RI 02912, USA) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble/Minatec, CS 50257, Grenoble 38016, France) ,  Arsalan M. (State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China) ,  Wan J. (State Key Lab of ASIC and System, School of Information Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 168  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,静電ドーピングを用いて新しいSOIベースのフォトダイオードを実験的に実証し,簡単で低コストなプロセスで作製した。従来のイオン注入pn接合ダイオードと異なり,静電的にドープした素子は非常に低い逆バイアス電流を特徴とする。光検出に用いたとき,この素子は通常のフォトダイオードよりも30年低い暗電流を示し,低い光パワー密度でも優れた検出能を示した。著者らの静電ドープダイオードは,近紫外および1/f低周波雑音においても増強された応答を特徴とした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  *ダイオード ,  *フォトダイオード ,  *ケイ素 ,  イオン注入 ,  低周波雑音 ,  *ドーピング ,  *暗電流 ,  近紫外線 ,  光検出 ,  絶縁体 ,  検出能 ,  UV検出
準シソーラス用語： 電力密度 ,  バイアス電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 絶縁体上のシリコン ,  フォトダイオード ,  静電ドーピング ,  紫外線検出

分類 (4件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  シリコンオンインシュレータ ,  構築 ,  暗電流 ,  フォトダイオード