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J-GLOBAL ID：202002288693586566   整理番号：20A2017577

ナノスケールZnO/IGOヘテロ接合による電界効果トランジスタにおける原子層堆積プロセス可能キャリア移動度ブースティング【JST・京大機械翻訳】

Atomic Layer Deposition Process-Enabled Carrier Mobility Boosting in Field-Effect Transistors through a Nanoscale ZnO/IGO Heterojunction

著者 (7件)： Seul Hyeon Joo (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea) ,  Kim Min Jae (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea) ,  Yang Hyun Ji (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea) ,  Cho Min Hoe (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea) ,  Cho Min Hee (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Company, Gyeonggi-do, Korea) ,  Song Woo-Bin (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Company, Gyeonggi-do, Korea) ,  Jeong Jae Kyeong (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, South Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 30  ページ： 33887-33898  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(≦400°C),積層可能な酸化物半導体は,モノリシック三次元集積のための上部トランジスタ成分として有望である。原子層堆積(ALD)経路は,低欠陥,高品質半導体酸化物チャネル層を提供し,ナノスケールトレンチ構造上の優れたステップ被覆と同様に,化学組成と物理的厚さの正確な制御を可能にする。ここでは,ALD技術を用いて三元インジウムガリウム亜鉛オキシド系中の高移動度ヘテロ接合トランジスタを報告した。ヘテロ接合チャネル構造は,有効輸送層として10nm厚さのインジウムガリウム酸化物(IGO)層と3nm厚で広いバンドギャップZnO層から成る。IGO量子井戸のバンドギャップをIn/Ga比調整により制御し,ZnO膜の物理的厚さを減少することにより,二次元電子ガスの形成を示唆した。ZnO/In_0.83Ga_0.17O_1.5ヘテロ接合チャネルを有する電界効果トランジスタ(FET)は,63.2±0.26cm2/Vsの最高の電界効果移動度,0.26±0.03V/decの低いサブ閾値ゲートスイング,-0.84±0.85Vの閾値電圧,および9×108のI_ON/OFF比を示した。これは,単一In_0.83Ga_0.17O_1.5チャネルを有するFETの性能(キャリア移動度~41.7±1.43cm2/V s)を凌駕する。さらに,ゲートバイアス応力試験結果から,ZnO/In_1-xGa_xO_1.5(x=0.25および0.17)ヘテロ接合チャネルを有するFETは,単一In_1-xGa_xO_1.5(x=0.35,0.25および0.17)チャネルを有するFETよりも非常に安定であることが分かった。化学的キャラクタリゼーションと技術的コンピュータ支援設計シミュレーションに基づいて,関連する議論を詳細に示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *キャリア移動度 ,  シミュレーション ,  低温 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  インジウム ,  ガリウム ,  被覆 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *酸化亜鉛 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  *ナノスケール ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ヘテロ接合 ,  原子層蒸着 ,  インジウムガリウム酸化物 ,  酸化亜鉛 ,  電界効果トランジスタ ,  バイアス安定性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノスケール ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  原子層堆積 ,  プロセス ,  キャリア移動度 ,  ブースティング