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J-GLOBAL ID：202002288711678332   整理番号：20A2241416

NdNiO_3薄膜抵抗器に及ぼす電場支援水素化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Electric Field-Assisted Hydrogenation on NdNiO₃ Thin Film Resistor

著者 (3件)： SIDIK U. (Osaka Univ., JPN) ,  HATTORI A. N. (Osaka Univ., JPN) ,  TANAKA H. (Osaka Univ., JPN)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-D411-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： ペロブスカイト-ニッケル酸塩(RNiO3,R=希土類元素)は,強く相関した電子効果のために,それらの鋭い金属-絶縁体転移のため,研究者の間でかなりの関心を集めている。それらの抵抗スイッチング挙動は,高速,高密度スケール非揮発性メモリおよび論...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *電場 ,  電場効果 ,  *薄膜 ,  陽子 ,  シミュレーションモデル ,  白金 ,  *水素化 ,  白金触媒 ,  プロトン移動 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  ホッピング伝導 ,  不揮発性メモリ ,  ドーパント
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜抵抗器 ,  電場 ,  支援 ,  水素化