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J-GLOBAL ID：202002289165780273   整理番号：20A2488198

サブ15nmテンプレートにおける欠陥低減のためのレジストパターン検査【JST・京大機械翻訳】

Resist pattern inspection for defect reduction in sub-15 nm templates

著者 (10件)： Motokawa Takeharu (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Suenaga Machiko (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Hagihara Kazuki (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Sakurai Noriko Iida nee (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Komatsu Ryu (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Sakurai Hideaki (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Kanamitsu Shingo (KIOXIA Corp. (Japan)) ,  Tsuda Keisuke (Univ. of Hyogo (Japan)) ,  Harada Tetsuo (Univ. of Hyogo (Japan)) ,  Watanabe Takeo (Univ. of Hyogo (Japan))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11518  ページ： 115180H-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ15nmナノインプリントリソグラフィーの必須要素はテンプレート上に微細パターンを生成することである。しかし,貧弱な分解能と低い感度のため,レジストによる直接描画によってテンプレート上にサブ15nm半ピッチパターンを作成することは挑戦的である。テンプレート上に自己整列二重パターニングを適用することにより,サブ15nm半ピッチパターンの開発を現在研究している。テンプレートの欠陥密度は,まだ高容量製造レベルに達していない。本研究の目的は,サブ15nmテンプレートに対して1pcs/cm2以下の欠陥密度を達成することである。これを達成するために,確率誘起レジスト欠陥を克服する必要がある。欠陥の詳細を観察することにより欠陥形成のメカニズムを決定することを目指した。レジストパターンに極端紫外光を照射し,パターンから回折信号を検出するすれすれ入射コヒーレント散乱顕微鏡を用いてレジストパターン検査を行った。本研究はHyogo大学とKioxia社との共同研究で行った。本論文では,損傷評価とレジストパターン検査の結果を提示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回折 ,  分解能 ,  干渉性散乱 ,  *レジスト ,  すれすれ入射 ,  自己整合 ,  欠陥密度 ,  極端紫外線
準シソーラス用語： 直接描画 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  ダブルパターニング ,  欠陥形成 ,  レジストパターニング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  テンプレート ,  欠陥 ,  レジストパターン ,  検査