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J-GLOBAL ID：202002289352322930   整理番号：20A1236170

分子ビームエピタクシーにより成長させた高スカンジウム分率ヘテロエピタキシャルスケールにおける相純度の制御

Control of phase purity in high scandium fraction heteroepitaxial ScAlN grown by molecular beam epitaxy

著者 (8件)： Hardy Matthew T. (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Jin Eric N. (National Research Council Postdoctoral Fellow Residing at the U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Nepal Neeraj (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Katzer D. Scott (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Downey Brian P. (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Gokhale Vikrant J. (National Research Council Postdoctoral Fellow Residing at the U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Storm David F. (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America) ,  Meyer David J. (Electronics Science & Technology Division, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington DC 20375, United States of America)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 6  ページ： 065509 (5pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ScAlNは,広帯域フィルタ,高電子移動度トランジスタ,および強誘電体メモリにわたる応用のための有望な材料である。ヘテロエピタキシャルScAlNのウルツ鉱相純度に影響する条件を調べ,相純度劣化を迅速に同定する方法を示した。Nリッチ試料でも,相純度はNリッチから金属リッチへの遷移の近傍でIII/V比に敏感である。エピタキシャルSc_xAl_1-xN試料はx=0.06~0.22で700°Cで成長できたが,相純度はx=0.32で低下した。基板温度を390°Cに下げることにより,1840arcsecの半値全幅で,最も低いロッキング曲線全幅をもつ200nmのSc_0.32Al_0.68Nヘテロエピタキシャル膜を実証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *固相 ,  *窒化アルミニウム ,  *スカンジウム ,  *ドーピング ,  HEMT ,  ウルツ鉱型結晶 ,  比率 ,  基板温度 ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  ヘテロエピタクシー ,  帯域フィルタ
準シソーラス用語： *分子ビームエピタキシャル成長 ,  *結晶相 ,  高電子移動度トランジスタ ,  ウルツ鉱型構造 ,  組成比 ,  ロッキング曲線 ,  半値全幅

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  スカンジウム ,  純度